 |
|||||||
|
|||||||
|
|
|||||||
|
|||||||
|
|
摘要： MOS管(场效应晶体管)放大电路及原理。
场效应晶体管放大器是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低的优点，被广泛应用在电子电路中，特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性。根据场效应管两大类型--结型场效应管和绝缘栅场效应管可构成相应的场效应管放大器。以下以结型管为例给出三种基本组态放大器的等效电路和性能指标计算表达式，见表5.2-7。图为场效应管具有与晶体管类似的正向受控作用，它也可构成共源极、共漏极、共栅极三种基本放大器。
1、偏置电路 因为不同类型的场效应管工作在放大区，要求栅极电压极性不同，例如，结型场效应管要求栅源与漏源电压极性相反，而增加型MOS管则要求栅源与漏源电压极性相同，至于耗尽型MOS管的栅偏压极性，可以正偏、零偏或负偏。
根据这些特点，来用单电源的偏置电路主要有以下两种： (1)自偏压电路 自偏压用于结型和耗尽型MOS管放大电路，图5.2-6示出N沟道结型场效应管自偏电路。
图5.2-6 自偏压电路 栅源电压为UGS=RID (2)混合偏置电路 混合偏置电路用于各种场效应管放大器。N沟道增强型MOS管放大电路混合偏置电路如图5.2-7所示。
图5.2-7 混合偏压电路 2、场效应晶体管三种基本组态放大器的等效电路与性能指标计算公式(见表5.2-7)
栅源电压为
